Samsung、14nm世代のFinFETロジックと互換の埋め込みMRAM技術を開発

　Samsung Electronicsは、14nm世代のFinFETロジックとプロセス互換の埋め込みMRAM(eMRAM)を開発し、2023年6月13日～15日に国際学会VLSIシンポジウムでその概要を発表した(論文番号C2-2と論文番号T18-4)。128Mbitの大容量MRAMマクロを試作して開発水準が量産レベルに近いことを報告するとともに、さらに微細な8nm世代のFinFETロジックにも開発したeMRAM技術が適用可能であることを示した。